半导体结构及半导体结构的制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括衬底、位线、位线隔离件、外围栅极以及栅极隔离件，衬底内形成有多个有源区；位线位于衬底上，且与有源区相连接；位线隔离件位于衬底上，且覆盖位线的侧壁，位线隔离件包括第一气隙；外围栅极位于衬底上；栅极隔离件位于衬底上，且覆盖外围栅极的侧壁，栅极隔离件包括第二气隙。第一气隙和第二气隙分别作为位线和外围栅极的侧壁绝缘结构，从而可以提高侧壁绝缘性能，以此改善半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497041A
申请号 ：
CN202011155878.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩欣茹李冉
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN202011155878.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20201026
申请日 : 20201026
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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