半导体结构的制作方法及半导体结构
公开
摘要
本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供衬底；去除部分衬底，形成多个有源柱，在第一方向上任意相邻的两个有源柱被隔开；形成多条沿第一方向延伸的位线，每条位线包覆位于其延伸方向上的每个有源柱的底部区域的部分侧壁。在本公开的半导体结构的制作方法，简化了形成位线的工艺制程，形成的位线环绕覆盖有源柱的周向的部分侧壁，提高了位线与有源柱的接触面积，减小了位线和有源柱的接触电阻，提高了半导体结构的电性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制作方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582808A
申请号 ：
CN202210190379.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张魁
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
鲁盛楠
优先权 ：
CN202210190379.1
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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