半导体结构的制作方法及半导体结构
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，其中，制作方法包括：在所述基底上形成多个支撑层，所述支撑层用于形成平板电容结构，所述支撑层沿第一方向延伸，多个所述支撑层在第二方向上间隔设置，所述第一方向和所述第二方向相交；形成下电极层，所述下电极层至少覆盖所述支撑层的侧壁；形成介电层，所述介电层覆盖所述下电极层。根据本公开的技术方案，减小电容的填充深宽比，以及防止电容底部出现分层、填充不均匀的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制作方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373719A
申请号 ：
CN202210026775.0
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白杰尤康
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
李冬梅
优先权 ：
CN202210026775.0
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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