半导体结构及半导体结构制作方法
授权
摘要
本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构及半导体结构制作方法。该半导体结构的基底上设置有芯片结构和密封结构，密封结构包括金属墙体和位于金属墙体顶部的阻挡墙体，金属墙体和阻挡墙体均环绕芯片结构设置。在晶圆切割的过程中，阻挡墙体可以阻止切割产生的裂纹在金属墙体背离基底一侧的层间介质层内向芯片结构延伸，进而避免芯片结构失效。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113035835A
申请号 ：
CN202110224400.0
公开（公告）日 ：
2021-06-25
申请日 ：
2021-03-01
授权号 ：
CN113035835B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
王蒙蒙黄信斌
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱颖
优先权 ：
CN202110224400.0
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/528 H01L23/538 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-07-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20210301
申请日 : 20210301
2021-06-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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