本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该方法包括：提供具有器件区和参考区的衬底，器件区包括第一本体结构以及栅线狭缝，第一本体结构包括沿第一方向交替叠置的牺牲层和绝缘介质层；参考区包括第一阻挡部以及第二本体结构，第二本体结构包括沿第二方向交替叠置的牺牲部和第二阻挡部；将牺牲层的材料以及牺牲部的材料替换为导电材料，形成多个第一导电层以及多个第二导电层；去除部分的导电材料，使得第一导电层的裸露表面低于绝缘介质层的靠近栅线狭缝的表面，形成多个第一凹槽，使得第二导电层的预定表面低于第二阻挡部的预定表面，形成多个第二凹槽。该方法解决现有技术中难以监测每片晶圆的栅线狭缝里凹槽的尺寸的问题。