半导体结构及其制作方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含有一正面氧化层位于一背面氧化层上，一正面电子元件，位于该正面氧化层中，一背面电子元件，位于该背面氧化层中，以及一屏蔽层结构，位于该正面氧化层与该背面氧化层之间，其中该屏蔽层结构包含一图案化埋层金属层，两正面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一正面，以及两背面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一背面。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111696961A
申请号 ：
CN201910180884.6
公开（公告）日 ：
2020-09-22
申请日 ：
2019-03-11
授权号 ：
CN111696961B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
周志飙
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201910180884.6
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-10-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20190311
申请日 : 20190311
2020-09-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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