半导体结构的制作方法及半导体结构
授权
摘要
本发明提出一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有第一保护结构；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层和所述衬底中形成第二保护结构；其中，所述第二保护结构与所述第一保护结构在垂直所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠，所述第二保护结构与所述第一保护结构在沿所述衬底表面方向上的投影存在间距。本发明提出的半导体结构和制作方法，通过分段的保护结构，可以降低芯片运行时在保护结构中产生的电磁感应进而减弱对芯片正常运行的干扰，提高芯片性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制作方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113078140A
申请号 ：
CN202110323584.6
公开（公告）日 ：
2021-07-06
申请日 ：
2021-03-26
授权号 ：
CN113078140B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
王蒙蒙黄信斌张强
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN202110323584.6
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20210326
申请日 : 20210326
2021-07-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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