本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，在衬底上依次形成图形定义层、图形转移层与图形掩膜层；刻蚀图形掩膜层，形成暴露图形转移层的第一凹槽；刻蚀第一凹槽底部的图形转移层，形成暴露图形定义层的第二凹槽，第二凹槽的侧壁垂直于图形定义层的上表面；通过第一凹槽与第二凹槽对暴露出的图形定义层进行离子掺杂，掺杂有离子的图形定义层作为金属阻断层。与现有技术相比，形成开口尺寸比较小的第一凹槽就可以最终形成相同尺寸的所述金属阻断层，从而可以在同一工艺步骤中形成相邻的金属阻断层，由此简化了工艺步骤，节省了制作时间，减小了工艺缺陷的发生率，降低了成本。