半导体结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含一基底，一电阻式随机存取存储器位于该基底上，包含有一上电极、一下电极以及一电阻转换层位于该上电极以及该下电极之间，以及一帽盖层，覆盖于该电阻式随机存取存储器外侧，其中该帽盖层具有一上半部分以及一下半部分，且该上半部分与该下半部分所包含的应力不同。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447217A
申请号 ：
CN202011221313.1
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苏士炜林大钧张智伟蔡滨祥简廷安
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011221313.1
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20201105
申请日 : 20201105
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
