本公开提供了一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底，基底上包括多个相邻之间形成接触孔的位线结构；于接触孔内形成初始接触层，初始接触层内包括缝隙；对初始接触层进行刻蚀，去除部分初始接触层，以形成第一接触层；对第一接触层进行刻蚀，以去除部分缝隙，被保留下来的第一接触层形成第二接触层；对第二接触层进行刻蚀，且对凹陷状的侧壁的刻蚀速率大于对凹陷状的底部的刻蚀速率，以去除剩余缝隙，并形成第三接触层。本公开通过对初始接触层进行多次刻蚀，并控制对第二接触层的边侧位置的刻蚀速度大于对第二接触层中间位置处的刻蚀速率，从而形成顶部形貌平坦化的接触层，进而提高半导体结构的良率和导电性。