半导体装置及其制作方法
公开
摘要
本发明公开一种半导体装置及其制作方法，其中该半导体装置包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、栅极电极、第一电极、及介电层。半导体通道层被设置于基底之上，半导体阻障层被设置于半导体通道层之上。栅极电极被设置于半导体阻障层之上。第一电极被设置于栅极电极的一侧，其中第一电极包括主体部及垂直延伸部，主体部电连接于半导体阻障层，且垂直延伸部的底面低于半导体通道层的顶面。介电层被设置于垂直延伸部及半导体通道层之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582970A
申请号 ：
CN202011384166.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨柏宇
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011384166.X
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/417 H01L21/335
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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