半导体装置及半导体装置的制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体装置及半导体装置的制作方法,其中该半导体装置包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、栅极盖层、介电层、及栅极电极。半导体通道层设置于基底之上,半导体阻障层设置于半导体通道层之上。栅极盖层设置于半导体阻障层之上,介电层顺向性的覆盖住栅极盖层且围绕栅极盖层的周边。栅极电极设置于介电层之上,且覆盖栅极盖层的至少一侧壁。
基本信息
专利标题 :
半导体装置及半导体装置的制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114520263A
申请号 :
CN202011299296.3
公开(公告)日 :
2022-05-20
申请日 :
2020-11-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨柏宇
申请人 :
联华电子股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹市
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陈小雯
优先权 :
CN202011299296.3
主分类号 :
H01L29/778
IPC分类号 :
H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-06-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20201119
申请日 : 20201119
2022-05-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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