半导体装置及其制作方法
公开
摘要
本揭露描述了一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括基板、该基板上的缓冲层及缓冲层上的堆叠的鳍式结构。缓冲层可以包括锗，且堆叠的鳍式结构可以包括具有锗及锡的半导体层。半导体装置进一步包括围绕半导体层的一部分的栅极结构及在缓冲层上并与半导体层接触的磊晶结构。磊晶结构包括锗及锡。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530484A
申请号 ：
CN202110346601.8
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-03-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
摩尔·沙哈吉·B李承翰张世杰林诗雅蔡仲恩刘致为
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110346601.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/161 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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