薄膜半导体装置及其制作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在形成半导体装置(20、40、50、60、70、80)的一种方法中，形成第一电极(30)，该第一电极(30)与半导体材料(28)电气耦合。在形成第一电极(30)之后，与第一电极(30)相邻且从第一电极(30)延伸选定距离(36、76)从而在半导体(28)上形成绝缘体(34、74)。在形成绝缘体(34、74)之后，形成与半导体材料(28)电气耦合且与绝缘体(34、74)相邻的第二电极(38、62、78)。
基本信息
专利标题 ：
薄膜半导体装置及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101053085A
申请号 ：
CN200580036681.6
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·S·赫尔曼R·霍夫曼P·马迪洛维奇
申请人 ：
惠普开发有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
曾祥夌
优先权 ：
CN200580036681.6
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/417 H01L21/336 H01L29/739
法律状态
2010-03-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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