半导体装置及其制作方法
授权
摘要
本发明揭示一种半导体装置(100B、200A、200B)及制作方法(图6)。装置包含衬底、电力场效应晶体管FET(FET1、FET2)及集成传感器，集成传感器包含电流传感器(130、206，图3)、高电流故障传感器(138、208，图5B)及温度传感器(134、210，图4B)。电力FET(与图3中所展示的引导FET相同)的结构包含：第一导电性类型的漏极触点区域(302)，其安置于衬底中；第一导电性类型的漏极漂移区域(304)，其安置于漏极触点区域上方；经掺杂多晶硅沟槽(306)，其安置于漏极漂移区域中；与第一导电性类型相反的第二导电性类型的主体区域(314)，其安置于经掺杂多晶硅沟槽之间；源极区域(312)，其安置于经掺杂多晶硅沟槽的横向侧上且与主体区域接触；及源极触点沟槽(324)，其与源极区域且与经掺杂多晶硅沟槽接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106952905A
申请号 ：
CN201611184627.2
公开（公告）日 ：
2017-07-14
申请日 ：
2016-12-20
授权号 ：
CN106952905B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
大卫·J·鲍德温加里·尤金·道姆西蒙·约翰·莫洛伊阿比迪尔·拉赫曼
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林斯凯
优先权 ：
CN201611184627.2
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L29/772 H01L29/06 H01L21/335
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2018-11-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/06
申请日 : 20161220
申请日 : 20161220
2017-07-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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