半导体装置及其制作方法
专利权的终止
摘要
本发明的目标是提供一种在降低由于短沟道效应而产生的泄漏电流方面比较优越的半导体装置及其制作方法。在将场效应晶体管形成在单晶半导体衬底上的过程中，引入杂质以形成扩展区并打破单晶晶格使扩展区成为非晶。可以替代的方案是，引入杂质和具有大原子质量数的元素以打破单晶晶格并使扩展区成为非晶。然后，发出1f s至10p s脉冲宽度、370至640nm波长的激光束，以选择性地激活非晶部分，从而使得扩展区形成的厚度为20nm或更小。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812061A
申请号 ：
CN200510128942.9
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田中幸一郎
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
刘红
优先权 ：
CN200510128942.9
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/268
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2018-11-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20101222
终止日期 : 20171202
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20101222
终止日期 : 20171202
2010-12-22 ：
授权
2008-01-30 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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