半导体器件及其制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，本发明技术方案对半导体衬底的第二表面进行减薄处理后，对所述第二表面进行第一次化学机械研磨处理，这样，通过机械研磨结合化学研磨的方法，可以同时研磨去除半导体衬底、TSV结构的第一绝缘介质层以及导电柱，使得露出的导电柱和研磨后的第二表面齐平，各个导电柱的高度齐平，然后对研磨后的所述第二表面进行刻蚀，使得所述第二表面的高度小于所述导电柱的高度，在刻蚀后的所述第二表面形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层与所述导电柱齐平。应用本发明实施例提供的制作方法，避免了现有技术中导电柱露出高度不一致的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110690163A
申请号 ：
CN201910967497.7
公开（公告）日 ：
2020-01-14
申请日 ：
2019-10-12
授权号 ：
CN110690163B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
张春艳孙鹏李恒甫包焓曹立强
申请人 ：
上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市自由贸易试验区创新西路778号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张静
优先权 ：
CN201910967497.7
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-02-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20191012
申请日 : 20191012
2020-01-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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