半导体器件及其制作方法
公开
摘要
本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一晶圆，晶圆包括衬底、位于衬底上的介质层和嵌设于介质层中的金属层；形成硅通孔，硅通孔贯穿衬底和部分厚度的介质层暴露出金属层；形成连接层，连接层填充硅通孔并与金属层电连接；去除硅通孔中部分深度的连接层；在硅通孔中形成纳米双晶铜层，纳米双晶铜层与连接层电连接。本发明中，半导体器件的混合键合界面包括纳米双晶铜层的顶面，利用纳米双晶铜层的高导电性和抗氧化性，降低了混合界面上金属的氧化速率，解决了混合键合界面上常规铜易氧化的问题。减少工艺流程，从而实现有效的高质量混合键合界面，提高键合工艺的生产力。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628344A
申请号 ：
CN202011452351.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王瑞磊郭万里周云鹏占琼刘天建
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202011452351.8
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/482 H01L23/522 H01L23/532 H01L21/18 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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