半导体器件的制作方法
公开
摘要
本发明公开了一种半导体器件的制作方法。所述方法包括：形成第一晶圆的正面键合界面和背面键合界面；对所述第一晶圆进行芯片切分，并将所述第一晶圆中的各芯片作为第一目标芯片；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第一基板进行临时键合；将所述第一目标芯片的正面键合界面与目标晶圆进行键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与所述第一基板进行解键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第二目标芯片进行键合。本发明能够实现多层芯片和晶圆的混合键合，满足半导体器件的多样化需求。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628261A
申请号 ：
CN202011452022.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈坦林郭万里刘天建
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晓薇
优先权 ：
CN202011452022.3
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31 H01L23/48 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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