半导体基片的制作方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是关于多孔硅腐蚀液，使用该腐蚀液的腐蚀方法以及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法，其优点在于，提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液，该腐蚀液可以是氢氟酸；制作半导体基片的制造方法包括如下工序：形成具有非多孔硅单晶层和多孔硅层的衬底，将有绝缘性材料表面的衬底接合在该单晶层的表面上，用浸入氢氟酸的方法腐蚀除去多孔硅层。
基本信息
专利标题 ：
半导体基片的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1175084A
申请号 ：
CN97105478.9
公开（公告）日 ：
1998-03-04
申请日 ：
1992-02-15
授权号 ：
CN1099698C
授权日 ：
2003-01-22
发明人 ：
坂口清文米原隆夫佐藤信彦
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN97105478.9
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2007-04-25 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2003-10-01 ：
发明专利说明书更正
更正卷 : 19
号 : 4
页码 : 扉页
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误 : 已公布11项另缺38个优先权
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2003-01-22 ：
授权
1998-03-04 ：
公开
1998-02-11 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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