半导体基片
驳回的专利申请
摘要
本发明开创了具有如下特征的半导体基片：它是在具有<100>面的单晶硅基片上偏离[011]面的角度小于90°的位置上形成定向面。
基本信息
专利标题 ：
半导体基片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85101284A
申请号 ：
CN85101284.1
公开（公告）日 ：
1987-01-17
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
浅井正人
申请人 ：
夏普公司
申请人地址 ：
日本大阪市阿倍野区长池町22-22
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN85101284.1
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302 H01L29/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
1991-12-25 ：
驳回的专利申请
1987-01-17 ：
公开
1985-09-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
