基片处理装置和基片处理方法
公开
摘要
本发明提供能够向贮存在处理槽中的处理液的内部稳定地释放气体的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理槽、第1气体喷嘴组、第2气体喷嘴组和控制部。处理槽将排列的多个基片浸渍在处理液中而对其进行处理。第1气体喷嘴组在处理槽的内部配置在比多个基片靠下方的位置，向贮存在处理槽中的处理液释放气体。第2气体喷嘴组靠近第1气体喷嘴组地配置，向贮存在处理槽中的处理液释放气体。控制部控制各部。控制部在多个基片被浸渍在处理液中而被处理时，从第1气体喷嘴组和第2气体喷嘴组中的一个气体喷嘴组向处理液释放气体。控制部在检测出规定的切换条件的情况下，从由一个气体喷嘴组释放气体切换为由另一个气体喷嘴组释放气体。
基本信息
专利标题 ：
基片处理装置和基片处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628281A
申请号 ：
CN202111469857.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
永松辰也
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202111469857.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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