基片处理装置
授权
摘要
本实用新型提供一种容易地测量基片温度的基片处理装置，其包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计，并且能够相对于热处理部拆装。另外，温度测量部包括能够相对于上述热处理部拆装的安装部，该安装部与辐射温度计隔开间隔且具有透射红外线的透射窗。
基本信息
专利标题 ：
基片处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920746442.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-23
授权号 ：
CN210156353U
授权日 ：
2020-03-17
发明人 ：
佐田彻也麻生丰鬼塚靖之佐竹顺下田贵弘
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN201920746442.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 G01J5/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-03-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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