基片处理装置

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种基片处理装置，该基片处理装置包括：基片处理室、用于在基片处理室内承托基片的基片承托架、对基片承托架所承托的基片进行处理的基片处理器，其中该基片处理装置进一步包括用于传动基片处理器的处理器传动装置。通过采用上述结构，使得基片处理器能够以移动扫描的方式对静止的基片进行处理，使基片处理室的长度减小，节约制造成本，并通过往复扫描方式提高了基片的处理效果，结构简单实用，可控性强。

基本信息

专利标题：

基片处理装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620017972.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-08-28

授权号：

CN200981893Y

授权日：

2007-11-28

发明人：

许生徐升东庄炳河

申请人：

深圳豪威真空光电子股份有限公司

申请人地址：

518000广东省深圳市南山区深南大道市高新技术工业村W1A区一楼

代理机构：

广东国晖律师事务所

代理人：

徐文涛

优先权：

CN200620017972.2

主分类号：

C23C14/50

IPC分类号：

C23C14/50 H01L21/68

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C14/00

通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆

C23C14/22

以镀覆工艺为特征的

C23C14/50

基座

法律状态

2016-10-19 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101683479423
IPC(主分类) : C23C 14/50
专利号 : ZL2006200179722
申请日 : 20060828
授权公告日 : 20071128
终止日期 : 20150828

2016-02-03 ：

文件的公告送达

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101727287362
IPC(主分类) : C23C 14/50
专利号 : ZL2006200179722
专利申请号 : 2006200179722
收件人 : 深圳豪威真空光电子股份有限公司
文件名称 : 缴费通知书

2007-11-28 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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