基片处理装置和基片处理方法
公开
摘要
本发明提供降低疏水化剂的使用量，且使基片整体疏水化的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理槽、保持部、有机溶剂供给部、排液口、气体供给部和排气口。上述处理槽积存浸渍基片的水层。上述保持部保持上述基片。上述有机溶剂供给部对上述水层之上供给有机溶剂，形成上述有机溶剂的液层。上述排液口从上述处理槽的底壁将上述水层排出，使上述有机溶剂的上述液层从比上述基片靠上方处下降至比上述基片靠下方处。上述气体供给部在上述液层下降的期间，从上述处理槽的上方对上述液层供给疏水化剂的气体。上述排气口因上述液层的下降而在上述处理槽的侧壁露出，将上述疏水化剂的气体排出。
基本信息
专利标题 ：
基片处理装置和基片处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388398A
申请号 ：
CN202111120675.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鹤崎广太郎山下浩司山本裕介田中幸二金川耕三
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202111120675.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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