基片清洗装置和基片清洗方法
公开
摘要
本发明能够防止从基片除去的颗粒再次附着于基片。本发明的基片清洗装置包括：保持基片的基片保持部；对基片保持部上的基片喷射清洗气体的气体喷嘴；和以包围气体喷嘴的方式设置的喷嘴罩。从气体喷嘴对喷嘴罩的减压室内喷射清洗气体，在减压室内生成除去基片上的颗粒的气体团簇。在基片保持部的保持部支承件将气帘用气体向喷嘴罩侧喷射，在喷嘴罩与保持部支承件之间形成气帘。
基本信息
专利标题 ：
基片清洗装置和基片清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631174A
申请号 ：
CN202080073660.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中岛常长饱本正巳
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202080073660.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02 B08B5/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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