基片处理装置、基片处理方法和存储介质
公开
摘要
本发明提供其能够提高基片处理装置中的吞吐量并且抑制专用占地面积的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。装置构成为包括：设置在承载器区块的承载器载置部的俯视时左右之一侧的一处理区块和另一处理区块；具有设置于承载器区块的第1输送机构的基片的输送区域；载置部的层叠体，其将由第1输送机构、一处理区块的主输送机构、另一处理区块的主输送机构分别交接基片的第1载置部、第2载置部、第3载置部彼此在纵向上重叠地构成，并设置在俯视时第1输送机构的前后之一侧；以及第2输送机构，其以俯视时与第1输送机构一起从前后夹着层叠体的方式设置于输送区域，用于在第1载置部与第2载置部之间、第1载置部与第3载置部之间分别输送基片。
基本信息
专利标题 ：
基片处理装置、基片处理方法和存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551281A
申请号 ：
CN202111347980.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
渡边刚史土山正志榎木田卓山本太郎
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202111347980.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
