基片处理装置和基片处理方法
公开
摘要
本发明提供有利于减少向基片排出的处理液中的异物的技术。基片处理装置包括：具有向基片排出处理液的喷嘴的排出部(30)；将处理液送至排出部的送液部(60)；和将用于送至排出部(30)的处理液向送液部(60)供给的作为供给源的液源(51)，送液部(60)具有：供处理液流动的管路；设置在管路上的彼此不同的位置的、对设置在处理液中会含有的多个种类的异物的捕集特性彼此不同的多个过滤器。
基本信息
专利标题 ：
基片处理装置和基片处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114433397A
申请号 ：
CN202111271671.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
矢野英嗣一野克宪
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202111271671.8
主分类号 ：
B05B15/40
IPC分类号 ：
B05B15/40 H01L21/67
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B05
一般喷射或雾化；对表面涂覆流体的一般方法
B05B
喷射装置；雾化装置；喷嘴
B05B15/00
其他类目中不包括的喷射设备或喷射装置的零件；附件
B05B15/40
喷嘴出口上部的过滤器
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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