基片处理装置
授权
摘要
本实用新型提供基片处理装置和基片处理方法。本实用新型的一方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴臂和对位机构。保持部保持基片。喷嘴臂具有对基片的周缘部供给处理液的喷嘴。对位机构设置于喷嘴臂，用于使基片的位置与保持部中的所设定的位置对准。本实用新型能够高精度地蚀刻基片的周缘部。
基本信息
专利标题 ：
基片处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020720543.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-06
授权号 ：
CN212461607U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
天野嘉文相浦一博
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202020720543.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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