基片处理系统
公开
摘要
本发明提供能够利用隔热部件适当地对相邻设置的第1基片处理室与第2基片处理室之间进行隔热、并且能够适当地抑制基片处理时的该隔热部件的消耗的基片处理系统。本发明的基片处理系统包括：具有第1基片输送口的第1腔室；具有第2基片输送口的第2腔室，其能够实施基片处理；连接部件，其用于将所述第1基片输送口和所述第2基片输送口彼此连通；在从截面看时沿着所述第2基片输送口设置的隔热部，其用于将所述第1腔室与所述第2腔室之间热隔断；和设置在所述隔热部与所述第2基片输送口之间的防护部件，其用于防止所述第2腔室中的基片处理时的所述隔热部的消耗。
基本信息
专利标题 ：
基片处理系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464550A
申请号 ：
CN202111273349.9
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林大辅网仓纪彦
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202111273349.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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