基片处理装置
授权
摘要
本实用新型提供一种基片处理装置，使在基片形成的孔的在深度方向上的蚀刻量的均匀性提高。本实用新型的一个方式的基片处理装置包括处理槽、外槽、第一气体供给部和第二气体供给部。处理槽将基片浸渍于处理液中。外槽包围处理槽的周围，接受从处理槽溢出的处理液。第一气体供给部对储存在处理槽内的处理液供给不活泼性气体。第二气体供给部从配置于外槽的内侧的开口部向外槽内供给不活泼性气体。
基本信息
专利标题 ：
基片处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122711450.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-08
授权号 ：
CN216597515U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
百武宏展木村裕二大津孝彦
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202122711450.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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