定向耦合器、处理基片的装置和处理基片的方法

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摘要

本发明提供定向耦合器、处理基片的装置和处理基片的方法，能够使作为副线路的耦合线路与作为定向耦合器的主线路的中心导体疏耦合，并且得到良好的定向特性。在定向耦合器中，中空同轴线路包括构成主线路的中心导体和以包围中心导体的周围的方式设置的形成有开口部的外部导体，电介质基片以覆盖开口部的方式设置，并设置有接地的膜状的接地导体，该接地导体分别覆盖隔着上述开口部与上述中心导体相对的背面侧和与上述背面侧相反的正面侧。耦合线路是设置于由上述背面侧的上述接地导体包围的区域内设置的副线路。并且，在正面侧的上述接地导体，设置有将隔着上述电介质基片与上述耦合线路相对的区域内的导体膜的一部分去除而得的导体去除部。

基本信息

专利标题：

定向耦合器、处理基片的装置和处理基片的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113193324A

申请号：

CN202110067295.4

公开（公告）日：

2021-07-30

申请日：

2021-01-19

授权号：

CN113193324B

授权日：

2022-05-31

发明人：

高桥勋宫下大幸长田勇辉井上三也芦田光利

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

优先权：

CN202110067295.4

主分类号：

H01P5/18

IPC分类号：

H01P5/18 H05H1/46