半导体器件的高氧含量硅单晶基片制法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
硅基片的生产方法，包括在较高生产速度下生长硅单硅体。已经发现，硅晶体的生长速度对硅晶体或硅基片中晶体缺陷的产生有很大的影响。此外，硅晶体或硅基片中的氧含量明显地高于普通的硅晶体或硅基片中的氧含量。硅晶体的高生长速度抑制氧从晶体中离析，可减少半导体器件在热处理期间，晶体产生缺陷或层错的数目。在按照本发明的较佳方法中，硅晶体的生长速度≥1.2毫米/分。而所生长硅晶体中的最佳氧含量则选取≥1.8×1018/厘米3。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的高氧含量硅单晶基片制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86106346A
申请号 ：
CN86106346.5
公开（公告）日 ：
1987-06-17
申请日 ：
1986-10-31
授权号 ：
CN1016191B
授权日 ：
1992-04-08
发明人 ：
铃木利彦加藤弥三郎二神元信
申请人 ：
索尼公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
马崇德
优先权 ：
CN86106346.5
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
1998-12-23 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-01-13 ：
授权
1992-04-08 ：
审定
1989-03-01 ：
实质审查请求
1987-06-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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