控制直拉硅单晶中氮含量的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种控制直拉硅单晶中氮含量的方法，用99.99％以上的纯氮作为保护气体，采用分段控制炉内氮气压力，特别是熔硅阶段的氮气压力严格控制在266～1995Pa范围内，获得硅单晶中氮含量为1.0×1014～7.0×1014/cm3，且保证该硅单晶的成品率达到80％以上。
基本信息
专利标题 ：
控制直拉硅单晶中氮含量的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1040400A
申请号 ：
CN89105564.9
公开（公告）日 ：
1990-03-14
申请日 ：
1989-08-10
授权号 ：
CN1014727B
授权日 ：
1991-11-13
发明人 ：
李立本张锦心阙端麟
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN89105564.9
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C03B15/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2005-10-05 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1992-07-08 ：
授权
1991-11-13 ：
审定
1990-03-14 ：
公开
1990-02-28 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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