一种直拉硅单晶增氧的控制系统及方法
公开
摘要

本发明公开了一种直拉硅单晶增氧的控制系统及方法,包括壳体,所述壳体固定连接有第一电机,所述第一电机连接有齿轮组件,所述第一电机输出侧靠近齿轮组件端连接有驱动机构,所述齿轮组件侧端连接有从动轴,所述从动轴上端固定连接有盛放壳,所述从动轴连接有第二皮带轮组件,所述第二皮带轮组件连接有清洁杆,所述壳体固定连接有抽气机,所述壳体固定连接有涡流室,所述涡流室固定连接有冷气管,本发明涉及直拉单晶硅生产技术领域。该直拉硅单晶增氧的控制系统及方法,冷气经管道经波纹管将冷气连接杆导至分离件端,在冷气的作用下,转板顶起,冷气经转板所展开的注气槽及滤板排放至石英坩埚底端,石英坩埚遇冷收缩。

基本信息
专利标题 :
一种直拉硅单晶增氧的控制系统及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114561699A
申请号 :
CN202210078574.5
公开(公告)日 :
2022-05-31
申请日 :
2022-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
祁海滨冉泽平李金波倪浩然
申请人 :
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号
代理机构 :
杭州融方专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
沈相权
优先权 :
CN202210078574.5
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B15/00  C30B15/20  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2022-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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