一种直拉硅单晶用炉盖
授权
摘要
本实用新型提供一种直拉硅单晶用炉盖，包括盖体，在所述盖体靠近晶体一侧设有用于防止所述盖体直接长时间暴露在高温环境下形成游离的金属离子的叠层内衬，所述叠层内衬设置在所述盖体内壁并沿所述盖体径向圆周设置。本实用新型提出的炉盖，是在盖体内侧涂覆一叠层内衬，即能保护炉盖内壁结构，又能防止炉盖内壁形成一层金属离子，提高炉盖的使用寿命，提高直拉单晶晶体品质。
基本信息
专利标题 ：
一种直拉硅单晶用炉盖
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020264762.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-06
授权号 ：
CN212175075U
授权日 ：
2020-12-18
发明人 ：
李晓东韩凯景吉祥赵志远钟旭卢佳锋康学兵田鑫阳贾国华
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202020264762.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06 F27D1/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-12-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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