一种新型直拉硅单晶炉直壁式水冷套
授权
摘要
本实用新型提供一种新型直拉硅单晶炉直壁式水冷套,包括直壁式本体,所述本体包括内层和外层,在所述内层和所述外层之间设有进水管和若干半环形导向片,在所述外层外侧设有出水管,所述进水管和所述出水管沿所述水冷套高度方向设置,所述导向片绕设于所述水冷套高度方向设置,相邻所述导向片之间形成回流通道;所述导向片一端与所述进水管连接,另一端悬空设置,相邻所述导向片与所述进水管连接的一端交错设置且分别位于所述进水管两侧。本实用新型直壁式结构的水冷套,提高水冷套空间利用率,增大水冷面积,冷却效果均匀且稳定,提高单晶生长界面的温度梯度,提升单晶品质。
基本信息
专利标题 :
一种新型直拉硅单晶炉直壁式水冷套
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922267368.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-17
授权号 :
CN211367802U
授权日 :
2020-08-28
发明人 :
张石晶武志军郭谦霍志强钟旭田鑫阳景吉祥李晓东张文霞高润飞
申请人 :
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 :
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
栾志超
优先权 :
CN201922267368.5
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-08-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211367802U.PDF
PDF下载