一种直拉硅单晶炉平底导流筒
授权
摘要
本实用新型提供一种直拉硅单晶炉平底导流筒，包括导流筒侧壁部、导流筒过渡部和导流筒平底部，导流筒侧壁部、导流筒过渡部与导流筒平底部依次连接，其中，导流筒侧壁部、导流筒过渡部与导流筒平底部均为环状结构，导流筒平底部的直径小于导流筒侧壁部的直径，且导流筒平底部与导流筒侧壁部同轴线设置，以便减小硅溶液液面与导流筒之间的间隙。本实用新型的有益效果是具有导流筒平底部，导流筒与液面缝隙降少，气体流速加快，可快速带走挥发出的氧，可有效降低大尺寸单晶氧含量，提升大尺寸单晶品质。
基本信息
专利标题 ：
一种直拉硅单晶炉平底导流筒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921657480.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN210636090U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
武志军高润飞张文霞郭谦霍志强韩凯王胜利张石晶郭志荣钟旭
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201921657480.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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