一种直拉硅单晶炉复投装置
授权
摘要
本实用新型提供一种直拉硅单晶炉复投装置包括筒体、锥体、调节杆以及底座，筒体下部具有出料口，锥体设置在出料口处，调节杆设置于筒体内并与锥体连接，调节杆的一端穿过锥体，底座设置于锥体的底部并与调节杆通过卡接组件连接。本实用新型，能够提高对复投装置的防护，结构简单，安装方便；底座为聚四氟乙烯材质，成本低。本实用新型还设置有护套，有效的避免因硅料与调节杆碰撞引起金属杂质掉入溶液而影响成晶质量。
基本信息
专利标题 ：
一种直拉硅单晶炉复投装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020208471.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN212077192U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
高建芳徐强高润飞王林王建平白大伟李利军赵国伟许建郭志荣
申请人 ：
内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202020208471.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
