一种中低阻直拉硅单晶的制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种中低阻直拉硅单晶的制备方法去，采用纯度为99.99％的氮、氩或氮—氩混合气作为保护气体，同时以硅磷合金和硅锑合金作为掺杂剂，控制掺杂剂的杂质浓度和掺入量，获得电阻率为0.5～10Ω·cm、10～50Ω·cm、50～90Ω·cmN型直拉硅单晶。这种硅单晶，其轴向电阻率均匀度优于20％，用于制造大规模集成电路、超大规模集成电路或其他器件，具有成品率高、参数一致性好、成本低等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种中低阻直拉硅单晶的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88102558A
申请号 ：
CN88102558.5
公开（公告）日 ：
1988-12-14
申请日 ：
1988-05-03
授权号 ：
CN1004889B
授权日 ：
1989-07-26
发明人 ：
李立本阙端麟
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN88102558.5
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2005-07-06 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1990-03-14 ：
授权
1989-07-26 ：
审定
1988-12-14 ：
实质审查请求
1988-12-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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