一种直拉硅单晶制备用坩埚

专利权的终止

摘要

本实用新型提供了直拉硅单晶制备用坩埚，它用在一种名为切克劳斯基(或称直拉)法制造的硅单晶生长方法中，硅晶体在生长室内生长。这种直拉硅单晶制备用坩埚包括：坩埚上部、与下轴连接的埚底，所述的坩埚上部的内侧沿坩埚的轴心等分多块拼装加强圈，另一外圈套在加强圈外。本实用新型优点是：该坩埚重量轻、宜安装，它的使用寿命与原有结构的坩埚相当。

基本信息

专利标题：

一种直拉硅单晶制备用坩埚

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720173483.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-09-29

授权号：

CN201089805Y

授权日：

2008-07-23

发明人：

吴志强戴小林崔彬姜舰

申请人：

北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司

申请人地址：

100088北京市新街口外大街2号

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司

代理人：

郭佩兰

优先权：

CN200720173483.0

主分类号：

C30B15/10

IPC分类号：

C30B15/10

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B15/00

熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法

C30B15/10

承载熔融液的坩埚或容器

法律状态

2017-10-31 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : C30B 15/10
申请日 : 20070929
授权公告日 : 20080723

2015-07-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101717132432
IPC(主分类) : C30B 15/10
专利号 : ZL2007201734830
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 有研新材料股份有限公司
变更后权利人 : 有研半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
登记生效日 : 20150610

2014-06-25 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101702221990
IPC(主分类) : C30B 15/10
专利号 : ZL2007201734830
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后 : 有研新材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088 北京市新街口外大街2号

2012-03-14 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101297322513
IPC(主分类) : C30B 15/10
专利号 : ZL2007201734830
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京有色金属研究总院
变更后权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20120130

2008-07-23 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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