直拉硅单晶的气相掺氮方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种直拉硅单晶的气相掺氮方法，采用纯度为99.99％的氮气或者氩-氮混合气作为保护气氛实现气相掺氮，控制炉内气体压力为5～60托，最佳压力为15～25托，气体流量为1～6m2/hr，最佳流量为2～5m3/hr，制造氮含量为1×1014～4.5×1015/cm3的硅单晶，成品率不低于70％。应用这种气相掺氮方法，保护气体的成本可降低40～50％，其硅片有良好的机械性能，在制作半导体器件工艺过程中，硅片的破碎率降低10～15％。
基本信息
专利标题 ：
直拉硅单晶的气相掺氮方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87105811A
申请号 ：
CN87105811.1
公开（公告）日 ：
1988-02-24
申请日 ：
1987-08-22
授权号 ：
CN1003607B
授权日 ：
1989-03-15
发明人 ：
阙端麟李立本陈修治
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN87105811.1
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2005-10-19 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-20 ：
其他有关事项
1989-11-08 ：
授权
1989-03-15 ：
审定
1988-02-24 ：
公开
1988-02-17 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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