含氮直拉硅单晶的热处理方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过850℃～1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和半导体器件制造。
基本信息
专利标题 ：
含氮直拉硅单晶的热处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1083874A
申请号 ：
CN93112445.X
公开（公告）日 ：
1994-03-16
申请日 ：
1993-05-22
授权号 ：
CN1029694C
授权日 ：
1995-09-06
发明人 ：
杨德仁杨建松李立本姚鸿年阙端磷张锦心樊瑞新张奚文
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN93112445.X
主分类号 ：
C30B33/02
IPC分类号 ：
C30B33/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2005-07-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-09-06 ：
授权
1994-03-16 ：
公开
1994-03-09 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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