一种直拉硅单晶炉拼接导流筒
授权
摘要

本实用新型提供一种直拉硅单晶炉拼接导流筒,包括第一导流筒、第二导流筒、连接件和固定件,其中,连接件设于第一导流筒与第二导流筒之间,且连接件的两端分别与第一导流筒和第二导流筒接触配合,便于缓解应力释放;固定件分别与第一导流筒和第二导流筒连接,便于第一导流筒与第二导流筒连接为一体。本实用新型的有益效果是结构简单,使用方便,便于安装拆卸维修,采用分体式结构,导流筒采用上下拼接结构,制作时相较于现有的一体式导流筒,原料的高度较低,原料消耗少,降低制作成本;同时,炉台停炉后,导流筒由高温降低至室温时,拼接结构可缓解其应力的释放,延长导流筒使用寿命,降低其产生裂纹的概率,降低单晶制造生产成本。

基本信息
专利标题 :
一种直拉硅单晶炉拼接导流筒
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921775434.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-22
授权号 :
CN211367796U
授权日 :
2020-08-28
发明人 :
武志军高润飞张文霞郭谦霍志强王胜利韩凯赵志远景吉祥宋瑞强张石晶郭志荣钟旭
申请人 :
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 :
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
栾志超
优先权 :
CN201921775434.3
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-08-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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