一种新型直拉硅单晶炉底部加热器
授权
摘要
本实用新型提供一种新型直拉硅单晶炉底部加热器,包括两组对位设置的第一加热部和第二加热部,所述第一加热部与所述第二加热部串联连接且轴对称设置;所述第一加热部包括串联连接的U型体和分设在所述U型体两侧的W型体,所述W型体位于所述第一加热部外缘处,所述U型体与所述W型体共同形成一体式结构;所述第二加热部包括两组串联对称设置阶梯状弯曲体,所述弯曲体横向宽度从靠近所述第一加热部一端到远离所述第一加热部一端递增;两组所述第一加热部与所述第二加热部内缘共同形成一内切椭圆形空隙。本实用新型可使单晶头部间隙氧含量降低,提高硅单晶质量,晶体成晶率提高5%,底部加热器打火率降低到0.1%以下,降低生产成本。
基本信息
专利标题 :
一种新型直拉硅单晶炉底部加热器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920515100.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-16
授权号 :
CN210438861U
授权日 :
2020-05-01
发明人 :
高建芳王建平梁宇飞郭志荣张红霞白大伟徐强王林高润飞
申请人 :
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 :
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
栾志超
优先权 :
CN201920515100.6
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2020-05-01 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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