一种直拉单晶硅用加热器
授权
摘要

本实用新型提供了一种直拉单晶硅用加热器,包括:外壳体、电加热棒、限位槽;所述外壳体内的下部设置有电加热棒,且外壳体与电加热棒通过嵌入方式相连接;所述限位槽位于外壳体的内壁上,且限位槽与外壳体为一体式结构;所述第一卡槽位于外壳体的内壁上,且第一卡槽与外壳体为一体式结构;所述石英坩埚设置在外壳体的内部,且石英坩埚与外壳体通过间隙配合方式套接;所述限位块位于石英坩埚的外壁上,且限位块与石英坩埚为一体式结构。通过在结构上的改进,具有加热工作效率高,并且受热效果好以及使用稳定性强,大大提高其实用性能及实用价值等优点,从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。

基本信息
专利标题 :
一种直拉单晶硅用加热器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122712469.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-08
授权号 :
CN216237368U
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
惠宝锋马元良高俊伟韩永龙高玉顺宋生宏
申请人 :
青海民族大学
申请人地址 :
青海省西宁市城东区八一中路3号
代理机构 :
济南鼎信专利商标代理事务所(普通合伙)
代理人 :
梁国海
优先权 :
CN202122712469.6
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14  C30B29/06  H05B3/02  H05B3/40  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2022-04-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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