本发明涉及硅材料加工技术领域，且公开了一种直拉单晶硅烧结炉，包括主炉室，所述主炉室的顶端连接有副炉室，所述主炉室的内部顶端固定连接有导流框，所述导流框的中部等角度开设有气流孔。通过导流框的内侧设置有固定板，使氩气气流通过导流框的内侧流过时，被导流框内侧的固定板进行分流，一部分氩气流向直接到达坩埚的顶端，另一部分通过环形板的顶端进入主炉室和支撑板之间再通过支撑板和连接板之间，最后通过连接板和加热器之间，利用支撑板和加热器之间的温度梯度进行氩气气流的加热，直到气流流到承接盒的顶端侧，使坩埚顶端外侧的硅受到氩气气流作用始终处于熔化状态，且使坩埚顶端内侧壁不会有硅的结晶，提高坩埚的使用寿命。