半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场
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摘要
本实用新型涉及单晶硅炉技术领域,且公开了半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场,包括机壳,所述机壳的内部左右两侧均固定安装有安装板,所述安装板的内部均固定安装有导热管,两个所述安装板的内部均开设有伸缩缝,两个所述安装板的相对一侧均固定安装有加热器,所述机壳的内部底壁固定安装有出料斗,所述机壳的顶部固定安装有入料斗,所述机壳的内部后侧壁固定安装有电机座,所述电机座的内部固定安装有电机,所述电机座的内部固定安装有位于电机正面的第一轴承。该半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场,具备便于出料等优点,解决了现有技术中单晶硅炉在加工过程中产生热量并对单晶硅进行加热,加热后的单晶硅不便于取出的问题。
基本信息
专利标题 :
半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920410120.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-03-28
授权号 :
CN209759642U
授权日 :
2019-12-10
发明人 :
马建军
申请人 :
嵊州市西格玛科技有限公司
申请人地址 :
浙江省绍兴市嵊州市仙岩镇个体工业集聚区
代理机构 :
成都明涛智创专利代理有限公司
代理人 :
王巍敏
优先权 :
CN201920410120.7
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06 C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2019-12-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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