一种直拉硅晶体生长热场结构
授权
摘要
本实用新型专利涉及直拉硅单晶生长领域，具体涉及一种直拉硅晶体生长热场结构。包括电极座和多个加热器组件；加热器组件在竖直方向呈S形连续折返结构，其水平方向截面形状呈圆弧形，每个加热器组件的首尾两端分别接至一个电极座；多个加热器组件之间通过电极座首尾相连，组成一个圆环形的热场结构。本实用新型加热器由整体圆改为1/4圆弧或1/2圆弧，减少对石墨原材料尺寸要求；加热器局部损坏后可通过更换单个组建恢复使用，降低使用成本；更改为1/4圆弧或1/2圆弧后原料利用率提高，采购成本降低。
基本信息
专利标题 ：
一种直拉硅晶体生长热场结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920721779.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-20
授权号 ：
CN210085617U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
高宇胡建荣傅林坚其他发明人请求不公开姓名
申请人 ：
浙江晶盛机电股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市上虞区通江西路218号
代理机构 ：
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 ：
周世骏
优先权 ：
CN201920721779.4
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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