一种直拉单晶热场结构
授权
摘要
本实用新型提供一种直拉单晶热场结构，包括：在导流筒和石英坩埚外侧配设有保温机构；所述保温机构靠近所述导流筒和所述石英坩埚的内侧面均设有强化层；所述保温机构的外侧面均设有固化层；在拉制单晶时，所述强化层和所述固化层使所述保温机构与所述导流筒和所述石英坩埚的外壁面形成一下端开口的封闭腔，进入所述导流筒内的惰性气体沿所述导流筒内壁再经所述封闭腔并从所述保温机构的下端开口流出。本实用新型一种直拉单晶热场结构，可提高保温效果，降低功耗流失，避免热场被氩气和挥发气体腐蚀，使整个结构形成为一体，使热场温度稳定且变化幅度较小，保证热场温度的阶梯性和一致性，提高硅棒的成晶率。
基本信息
专利标题 ：
一种直拉单晶热场结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122381533.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
CN216514260U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
武志军谷守伟韩凯岳彩广徐小龙
申请人 ：
内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202122381533.7
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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